Ddr4 16 Gb 3200 Sodimm Kingston

Características Generales

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• . Fuente de Alimentación:.
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  • . VDD: 1.2V Típico.

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  • . VDDQ: 1.2V Típico.

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  • . VPP: 2.5V Típico.

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  • . VDDSPD: 2.2V a 3.6V.

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• . Terminación interna nominal y dinámica (ODT) para señales de datos, estroboscópicas y de máscara..

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• . Auto-refresh de bajo consumo (LPASR)..

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• . Inversión de bus de datos (DBI) para el bus de datos..

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• . Generación y calibración de VREFDQ en el chip..

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• . Dual-rank..

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• . EEPROM de detección de presencia en serie (SPD) I2C a bordo..

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• . Arquitectura Interna: 16 bancos internos (4 grupos de 4 bancos cada uno)..

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• . Modo de Ráfaga: Rebanada fija de ráfaga (BC) de 4 y longitud de ráfaga (BL) de 8 a través del conjunto de registro de modo (MRS)..

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• . BC4 o BL8 seleccionables sobre la marcha (OTF)..

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• . Topología: Fly-by..

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• . Bus de comandos y direcciones terminados..

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• . PCB: Altura 1.18′ (30.00mm)..

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• . Conformidad: Cumple con RoHS y libre de halógenos..

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Especificaciones de Rendimiento y Operación

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• . Latencia CAS (CL(IDD)): 22 ciclos..

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• . Tiempo de Ciclo de Fila (tRCmin): 45.75ns (mínimo)..

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• . Tiempo de Comando de Refresco a Activo/Refresco (tRFCmin): 350ns (mínimo)..

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• . Tiempo Activo de Fila (tRASmin): 32ns (mínimo)..

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• . Clasificación UL: 94 V – 0..

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• . Temperatura de Operación: 0ºC a +85ºC..

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• . Temperatura de Almacenamiento: -55ºC a +100ºC..

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